Thẻ: ion implantation
Dopant Diffusion và Ion Implantation – Kiểm soát tính chất điện trong chế tạo bán dẫn
Phần 7: Từ Dopant Diffusion đến Ion Implantation
Giải thích các phương pháp đưa tạp chất vào silicon nhằm kiểm soát đặc tính điện, từ khuếch tán nhiệt đến cấy ion chính xác.
07/01/2026
Blogs Đo lường, Kinh nghiệm hiện trường, Phòng lab & Nhà máy, Tin tức & Xu hướng công nghệ
dopant concentration profile, dopant diffusion, Fick diffusion law semiconductor, ion implantation, ion implanter components, junction depth control, MKS semiconductor solutions, plasma source semiconductor, post implant annealing, semiconductor doping, semiconductor fabrication process, semiconductor thermal processing, silicon doping process, thermal diffusion silicon, vacuum control ion implantation
Recent Posts
- Tất tần tật những điều cần biết về Fiber
- Vì sao Việt Nam bắt đầu từ 32nm – và chip 3nm thực sự dùng để làm gì?
- Newport 1938-R/2938-R vs 1940-R/2940-R – So sánh benchtop Optical Power & Energy Meter và cách chọn đúng hệ đo (detector + phụ kiện) theo ứng dụng
- Chemical Mechanical Planarization (CMP) – Công nghệ làm phẳng bề mặt trong chế tạo bán dẫn
- Dopant Diffusion và Ion Implantation – Kiểm soát tính chất điện trong chế tạo bán dẫn

