Thẻ: junction depth control
Dopant Diffusion và Ion Implantation – Kiểm soát tính chất điện trong chế tạo bán dẫn
Phần 7: Từ Dopant Diffusion đến Ion Implantation
Giải thích các phương pháp đưa tạp chất vào silicon nhằm kiểm soát đặc tính điện, từ khuếch tán nhiệt đến cấy ion chính xác.
