Thẻ: SiO2 gate oxide
Thermal Oxidation – Quá trình hình thành lớp oxide nền tảng trong chế tạo bán dẫn
Phần 3: Thermal Oxidation
Giới thiệu quá trình oxy hóa nhiệt silicon để tạo lớp SiO₂, nền tảng cho cách điện, kiểm soát giao diện và độ tin cậy của linh kiện bán dẫn.
05/01/2026
Blogs Đo lường, Kinh nghiệm hiện trường, Phòng lab & Nhà máy, Tin tức & Xu hướng công nghệ
dry oxidation, MKS thermal processing, rapid thermal oxidation, RTO semiconductor, semiconductor fabrication, semiconductor oxidation process, semiconductor process technology, Si SiO2 interface, silicon dioxide, silicon oxide growth, SiO2 gate oxide, thermal budget semiconductor, thermal oxidation, wafer oxidation, wet oxidation
Recent Posts
- Tất tần tật những điều cần biết về Fiber
- Vì sao Việt Nam bắt đầu từ 32nm – và chip 3nm thực sự dùng để làm gì?
- Newport 1938-R/2938-R vs 1940-R/2940-R – So sánh benchtop Optical Power & Energy Meter và cách chọn đúng hệ đo (detector + phụ kiện) theo ứng dụng
- Chemical Mechanical Planarization (CMP) – Công nghệ làm phẳng bề mặt trong chế tạo bán dẫn
- Dopant Diffusion và Ion Implantation – Kiểm soát tính chất điện trong chế tạo bán dẫn

